삼성전자의 첨단 반도체 기술을 중국 기업에 넘기고 현지 D램 생산을 주도한 전직 임직원 3명이 구속 상태로 재판에 넘겨졌다. 이들이 개발을 도운 제품은 중국 최초 18나노급 D램으로, 삼성전자에 최소 수조원대 피해를 입힌 것으로 검찰은 보고 있다.
서울중앙지검 정보기술범죄수사부(부장검사 김윤용)는 삼성전자 출신 A씨 등 3명을 산업기술보호법 및 부정경쟁방지법 위반 혐의로 구속기소했다고 1일 밝혔다.
A씨는 삼성전자 전 임원으로, 중국 반도체 회사 창신메모리(CXMT)에서 2기 개발실장을 맡아 기술 개발을 총괄했다. 함께 기소된 B씨와 C씨도 삼성전자 연구원 출신으로 각각 팀장과 수석을 맡았다. 모두 CXMT의 2기 개발팀 핵심 인력으로, 삼성전자의 18나노급 D램 공정 기술을 무단 활용해 중국 현지 양산을 주도한 혐의를 받고 있다.
CXMT는 중국 지방정부가 약 2조6000억원을 들여 설립한 중국 최초의 D램 반도체 전문 기업이다. 삼성전자가 1조6000억원을 투자해 세계 최초로 개발한 해당 기술은, 한국 정부가 지정한 ‘국가핵심기술’로 해외 반출이 엄격히 제한된다.
검찰 수사에 따르면 이들은 삼성전자에서 퇴직한 뒤, 기술 자료를 불법으로 확보한 CXMT 1기 개발팀으로부터 유출 문건을 넘겨받았다. 이후 삼성전자의 실제 제품을 분해해 자료를 검증하고, 이를 바탕으로 제조 테스트를 거쳐 지난 2023년 중국 최초 18나노 D램 양산에 성공한 것으로 드러났다. 중국으로서는 첫 개발 성공이자, 세계에서 네 번째다.
이들은 삼성전자 시절보다 3∼5배 높은 연봉을 받고 CXMT에 합류했으며, 총 보수는 15억∼30억원 수준으로 파악됐다. 검찰은 이 기술 유출로 삼성전자가 지난해에만 약 5조원의 매출 손실을 입었으며, 향후 피해액은 최소 수십조원에 이를 것으로 추정하고 있다.
앞서 검찰은 CXMT 1기 개발팀 핵심 인력인 D씨와 E씨도 같은 혐의로 각각 지난해와 올해 구속기소한 바 있다. D씨는 1심에서 징역 7년을 선고받았다. 이들에게 기술을 건넨 퇴직자 F씨는 삼성전자 내부 기술 수백 단계를 손글씨로 노트에 베껴 유출한 것으로 조사됐으며, 현재 인터폴 적색수배 중이다.
검찰 관계자는 “국가 경제의 근간을 흔드는 기술 유출 범죄에 대해 철저하고 엄정하게 대응하겠다”고 밝혔다.
